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元件参数资料
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参数目录37103
> MJD31CT4 TRANSISTOR NPN 100V 3A DPAK
型号:
MJD31CT4
RoHS:
无铅 / 符合
制造商:
STMicroelectronics
描述:
TRANSISTOR NPN 100V 3A DPAK
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路
MJD31CT4 PDF
其它有关文件
MJD31C View All Specifications
产品目录绘图
DPAK Package
标准包装
1
系列
-
晶体管类型
NPN
电流 - 集电极 (Ic)(最大)
3A
电压 - 集电极发射极击穿(最大)
100V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)
1.2V @ 375mA,3A
电流 - 集电极截止(最大)
50µA
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)
10 @ 3A,4V
功率 - 最大
15W
频率 - 转换
-
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商设备封装
D-Pak
包装
标准包装
产品目录页面
1546 (CN2011-ZH PDF)
其它名称
497-2484-6
查看MJD31CT4代理商
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